因压力沉重而辞去工作
Therefore, this paper explored to use the finite element analysis tool ANSYS to research stress and strain distributions and influencing factors for a uniaxial strained Si MOS device with typical SiGe source-drain structure and a biaxial strained Si MOS device with strained Si/ SiGe heterostructure, respectively.
本文探索了运用有限元分析工具ANSYS研究具有典型SiGe源漏结构的单轴应变硅MOS器件和应变Si/SiGe结构的双轴应变硅MOS器件的应力应变分布情况和影响因素。
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